类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 欧姆 @ 360mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
88 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro6?（TSOP-6）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
IRF5801
