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IKQ75N120CH3

发布时间2022-7-13 9:08:00关键词:IKQ75N120CH3
摘要

IKQ75N120CH3

类别

分立半导体产品

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造商

Infineon Technologies

系列

-

包装

管件

产品状态

在售

IGBT 类型

-

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.35V @ 15V,75A

功率 - 最大值

938 W

开关能量

6.4mJ(开),2.8mJ(关)

输入类型

标准

栅极电荷

370 nC

25°C 时 Td(开/关)值

34ns/282ns

测试条件

600V,75A,6 欧姆,15V

工作温度

-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

PG-TO247-3-46

基本产品编号

IKQ75N120

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