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NTD360N80S3Z

发布时间2022-10-20 14:41:00关键词:NTD360N80S3Z
摘要

NTD360N80S3Z

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 13 A

Rds On-漏源导通电阻: 360 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.8 V

Qg-栅极电荷: 25.3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 96 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

单位重量: 360 mg

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